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液相沉积,也称化学溶液沉积法(Chemical solution deposition, CSD)包括溶胶-凝胶法和金属有机热分解法(metal organic thermal decomposition, MOD),

是指颗粒(原子或分子)从溶液或悬浮液中沉降到预先存在的表面,导致新相生长的过程。CSD可用于制备铁电薄膜或多层复合薄膜。



化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是将一种或多种含有薄膜元素的化合物引入到反应腔中,然后通过气相化学反应在衬底表面沉积固体薄膜来制备材料的一种气相生长方法。



原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种将物质以单原子薄膜的形式放置在衬底表面的方法。

ALD由于其高度可控的(厚度、成分和结构),优异的沉积均匀性和一致性,在微纳米电子和纳米材料领域有着广泛的应用。


图片来源:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.9b00164
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Z875025 正丁醇锆(IV), 20 wt. %正丁醇溶液
Zirconium(IV) butoxide solution, 20 wt. %正丁醇溶液
ZrO4C16H36
Z875024 正丁醇锆(IV), 40 wt. %正丁醇溶液
Zirconium(IV) butoxide solution, 40 wt. %正丁醇溶液
ZrO4C16H36
Z923165 叔丁醇锆, electronic grade, 99.999% trace metals basis
Zirconium(IV) tert-butoxide, electronic grade, 99.999% trace metals basis
C16H36O4Zr
V820451 乙酰丙酮氧钒, 99%
Vanadyl acetylacetonate, 99%
C10H14O5V
V820432 乙酰丙酮钒(III), 97%
Vanadium(III) acetylacetonate, 97%
C15H21O6V
T914690 叔丁醇钛, 98%
Titanium(IV) tert-butoxide, 98%
C16H36O4Ti
T871878 六羰基钨, 99.9% metals basis
Tungsten hexacarbonyl, 99.9% metals basis
C6O6W
T819663 六羰基钨, 97%
Tungsten hexacarbonyl, 97%
C6O6W
T819662 六羰基钨, 99%
Tungsten hexacarbonyl, 99%
C6O6W
M886511 五氯化钼, 99.90%
Molybdenum(V) chloride, 99.90%
MoCl5
M874777 甲基三氯硅烷, 99%
Methyltrichlorosilane, 99%
CH3SiCl3
M838575 十羰基二锰, 98%
Manganese carbonyl, 98%
C10Mn2O10
M821331 乙酰丙酮锰(II), ≥97%
Manganese(II) acetylacetonate, ≥97%
C10H14MnO4
M813342 乙酰丙酮镁, 二水合物, 98%
Magnesium acetylacetonate dihydrate, 98%
C10H14MgO4·2H2O
F809617 二茂铁, 99%
Ferrocene, 99%
FeC10H10
F809616 二茂铁, 98%
Ferrocene, 98%
FeC10H10
E922601 乙酰乙酸乙酯钠盐, 90%
Ethyl acetoacetate sodium salt, 90%
C6H9O3Na
D868893 二羰基环戊二烯钴(I), 95%
Dicarbonylcyclopentadienylcobalt(I), 95%
C7H5CoO2
Z888687 氯化锆(IV), 99.5%, hafnium chloride<50ppm
Zirconium(IV) chloride, 99.5%, hafnium chloride<50ppm
ZrCl4
Z886148 乙氧基锆, 97%
Zirconium(IV) ethoxide, 97%
C8H20O4Zr
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